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[GUIDA] Ram: Overclock, Timings & Chip

Aperto da Vincent Vega, 09 Novembre 2009, 17:44:51

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Vincent Vega





Introduzione:
I Timings sono parametri che, insieme alla Frequenza di Clock, influiscono sulla Banda Passante misurabile con appositi Tool-Benchmark. Sono i Tempi di Latenza, misurati in unità di Cicli di Clock (Tempo che intercorre tra un segnale di Clock ed un altro), che si presentano nel corso di operazioni di Lettura/Scrittura. I Timings dipendono strettamente dal tipo di Chip utilizzato per la costruzione del banco di Ram; al variare del VDimm (Conosciuto anche come DDR Voltage, Mem Voltage, DRAM Voltage), in condizioni di Overclock e a parità di Frequenza di Funzionamento delle Memorie, è possibile (Chip Permettendo) ridurre i Tempi di Latenza accrescendo così la Banda Passante. In senso contrario, è possibile rilassare (O lasciare inalterati) i Timings per accrescere la Frequenza di Funzionamento dei Moduli di Memoria agendo su Divisori e Bus di Sistema. Solitamente, il VDimm dell'Array di Chip che compongono il Modulo viene riportato dal produttore attraverso una leggibile etichetta posta sulla confezione del Kit acquistato, o direttamente sul Modulo di Memoria stesso. Si sconsiglia, per uso quotidiano, di oltrepassare la soglia suggerita e di ventilare dovutamente il comparto Memorie in caso di Overvolt.




I Timings: tCL-tRCD-tRP-tRAS

CAS# Latency Time (tCL):
Indica il tempo che intercorre tra l'invio dell'istruzione per la lettura e l'attimo in cui il dato è pronto per la lettura stessa. A valori inferiori corrispondono Performance superiori.

RAS# To CAS# (Read/Write) Delay (tRCD):
I dati immagazzinati nei Chip di Memoria vengono scritti e letti in righe e colonne. Per l'accesso viene specificato prima un Indirizzo di Riga e poi uno di Colonna. Il tRCD indica il tempo in Cicli di Clock che intercorre tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria elementare alla quale si andrà ad accedere. Minore sarà il Ras To Cas più rapido sarà l'accesso ai dati.

RAS# Precharge Time (tRP):
E' il tempo espresso in Cicli di Clock prima del quale il segnale Precharge (*) giunga ad una certa riga attiva per disattivarla. In termini tecnici, l'intervallo che intercorre tra i comandi RAS-Row Address Select (**) necessari per la specificazione degli Indirizzi di Riga.

(*)
Il Precharge indica il precaricamento dei condensatori di memoria.

(**)
I Comandi che seguono i Row Address Select sono denominati CAS-Column Address Select necessari per la specificazione degli Indirizzi di Colonna. Il segnale di RAS precede sempre quello di CAS.


[ROW#] Cycle Time (tRAS):
E' l'intervallo di tempo necessario per individuare un dato in una Cella di Memoria e renderlo disponibile.

Command Rate (CR):
Indica se i comandi vengono impartiti al Chip di Memoria ogni Ciclo di Clock oppure ogni due Ccicli di Clock.

Esistono anche altri Timings denominati Sub-Timings o Alpha-Timings non meno importanti di quelli già riportati, ma non necessari per la configurazione ottimale delle vostre Ram. Diciamo che hanno più valenza di Fine-Tuning nell'ambito dell'Overclock. Per maggiori informazioni vi rimando alla lettura del seguente Link:

[Next Hardware] Guida Alle Ram e Relativi Timings [TUTORIAL]

Invece, per l'individuazione dei Chip di Memoria installati sui vostri Kit di Ram è possibile far riferimento ai seguenti Link:

List of Chips Used on DDR RAM Modules

List of Chips Used on DDR2 RAM Modules

List of Chips Used on DDR3 RAM Modules

Ed ancora un'altra lista di Chip sempre riguardante Ram di tipo Double Data Rate II:

BDDS - DDR2